自支撐Ni3S2納米片陣列用于高能量密度的非對(duì)稱超

 

　　作為新能源的代表之一，超級(jí)電容器在解決全球能源問題的持久戰(zhàn)中發(fā)揮著非常重要的作用。為了實(shí)現(xiàn)它在多種領(lǐng)域的應(yīng)用，努力提高其能量密度以能與電池系統(tǒng)相媲美，是提高超級(jí)電容器性能的具有挑戰(zhàn)性的任務(wù)之一。其中，贗電容器依靠快速的法拉第反應(yīng)來儲(chǔ)存和釋放電荷，通常顯示出比雙電層電容器更高的容量。然而，在贗電容器中，大多數(shù)金屬氧化物和氫氧化物具有半導(dǎo)體或絕緣體的特性，因此此類電極材料必須巧妙地設(shè)計(jì)，以實(shí)現(xiàn)贗電容器的最佳能量輸出。

 

　　【成果簡(jiǎn)介】

 

　　2016年12月15日，ACS Applied Materials & Interfaces發(fā)表題為“合理設(shè)計(jì)地自支撐Ni3S2納米片陣列用于超高能量密度的先進(jìn)非對(duì)稱超級(jí)電容器”Rational Design of Self-Supported Ni3S2 Nanosheets Array for Advanced Asymmetric Supercapacitor with a Superior Energy Density的研究論文，通訊作者為電子科技大學(xué)的陳俊松教授和新加坡國(guó)立大學(xué)的D. J. Blackwood教授。本文亮點(diǎn)：在本工作中，作者通過對(duì)活性物質(zhì)的納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行控制，以及對(duì)其化學(xué)組分進(jìn)行改性，合理地設(shè)計(jì)出一套完整的合成體系，成功制備了直接生長(zhǎng)于泡沫鎳基底上的自支撐Ni3S2納米片陣列。該材料在三電極體系中于50 A g-1的極高電流密度下表現(xiàn)出的可逆容量高達(dá)1000 F g-1，并且循環(huán)20000次以后并沒有明顯的衰竭。隨后，本材料在與活性炭組成的不對(duì)稱電容器(ASC)中體現(xiàn)出了高達(dá)202 W h kg-1的能量密度。

 

　　【圖文導(dǎo)讀】

 

　　方案1. α- Ni(OH)2和Ni3S2的生長(zhǎng)示意圖

 

　　

 

 

 

　　第一步是一個(gè)在60°C低溫濕化學(xué)過程，以2-甲基咪唑(2-MI)為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向劑，使α- Ni(OH)2納米片生長(zhǎng)在泡沫鎳基底上。第二步通過水熱硫化處理使α- Ni(OH)2轉(zhuǎn)化為為純相Ni3S2。這個(gè)過程也會(huì)將泡沫鎳基底的表層轉(zhuǎn)化為Ni3S2，以作為Ni3S2納米片與泡沫鎳基底之間的重要連接，建立一個(gè)高效的電子擴(kuò)散路徑。

 

　　圖1. α- Ni(OH)2納米片(Ni(OH)2@Ni)的表征結(jié)果

 

　　

 

 

 

　　α- Ni(OH)2納米片具有較高的結(jié)構(gòu)柔和度，緊密而又整齊地排列在泡沫鎳基底上，形成了一個(gè)完整的平均厚度為1.4 μm的薄膜。

 

　　(A-C)為α- Ni(OH)2納米片的SEM 圖像，(B)的插入圖為α- Ni(OH)2納米片的放大圖;

 

　　(D)為α- Ni(OH)2納米片的TEM圖像，插入照片顯示了含有α- Ni(OH)2納米片的膠體懸浮液具有丁達(dá)爾現(xiàn)象;

 

　　(E)為α- Ni(OH)2納米片的HRTEM圖像;

 

　　(F)為無泡沫鎳支撐的α- Ni(OH)2納米片的XRD圖。

 

　　圖2. Ni3S2納米片(Ni3S2@Ni)的形貌表征結(jié)果

 

　　

 

 

 

　　Ni(OH)2的二維納米結(jié)構(gòu)在硫化后仍得到了很好的保持，體現(xiàn)出了該材料較高的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。改性后的Ni3S2納米片表面具有微小的皺紋狀結(jié)構(gòu)。

 

　　(A-D)為Ni3S2@Ni的SEM圖像;

 

　　(E)為從泡沫鎳基底上分離的Ni3S2納米片的TEM圖像;

 

　　(F)為從泡沫鎳基底上分離的Ni3S2納米片的HRTEM圖像。

 

　　圖3. Ni3S2@Ni的成份表征結(jié)果

 

　　

 

 

 

　　通過水熱硫化法制備的Ni3S2@Ni具有良好的結(jié)晶性。

 

　　(A)為Ni3S2@Ni的XRD圖，證明制備的材料為菱形Ni3S2且結(jié)晶度較高;

 

　　(B)為Ni3S2@Ni的XPS圖譜，證明Ni3S2中Ni的氧化態(tài);

 

　　(C)為Ni3S2@Ni的拉曼光譜。

 

　　圖4. 三電極體系中Ni3S2@Ni的電容性能

 

　　

 

 

 

　　Ni3S2@Ni的電容量大，循環(huán)周期長(zhǎng)，能量密度高。其性能優(yōu)越于大多數(shù)已報(bào)道的鎳基材料。

 

　　(A)為不同掃描速率下的CV曲線;

 

　　(B)對(duì)比各種樣品由CV曲線計(jì)算出的電容;

 

　　(C)為不同電流密度下的恒流放電曲線;

 

　　(D)對(duì)比各種樣品由恒流放電曲線計(jì)算出的電容;

 

　　(E)為在50 A g−1下的多循環(huán)充放電性能。

 

　　圖5. Ni3S2@Ni∥AC ASC的性能

 

　　

 

 

 

　　Ni3S2@Ni∥AC ASC具有優(yōu)異的電容性能，且能量密度和功率密度優(yōu)于已報(bào)道的硫化鎳基ASCs。

 

　　(A)為不同掃描速率下的CV曲線;

 

　　(B)為根據(jù)(A)計(jì)算出的電容;

 

　　(C)為不同電流強(qiáng)度下的恒流放電曲線;

 

　　(D)為根據(jù)(C)計(jì)算出的電容;

 

　　(E)為在10 A g−1下的多循環(huán)充放電性能。

 

　　(F)為當(dāng)前工作與其他文獻(xiàn)的能量密度vs功率密度曲線的比較圖。

 

　　圖6. Ni3S2@Ni∥AC ASC的數(shù)碼照片

 

　　

 

 

 

　　該設(shè)備表現(xiàn)出優(yōu)異的結(jié)構(gòu)柔韌性(非彈性)，及在不同彎曲狀態(tài)下其電化學(xué)性能并無顯著差異，而且其輸出能量顯著，在可穿戴電子設(shè)備中的應(yīng)用潛力巨大。

 

　　(A)為半固態(tài)(qSS) ASC，藍(lán)色虛線矩形標(biāo)記為實(shí)際工作裝置的部分;

 

　　(B)為qSS ASC處于彎曲的狀態(tài);

 

　　(C)為兩個(gè)ASCs串聯(lián)供電18個(gè)排列模式為“NUS”綠色發(fā)光二極管。

 

　　【小結(jié)】

 

　　在這項(xiàng)工作中，作者通過合理地設(shè)計(jì)兩步法，利用2-MI合成自支撐Ni3S2納米片陣列。該方法顯著地提高了材料的電容性能，在50 A g-1的極高電流密度下，體現(xiàn)出了1000 F g−1的可逆容量，并在20000次充放電循環(huán)以后并無明顯的衰竭。基于這種材料的非對(duì)稱電容器在1.7 kW kg−1的功率密度下，能量密度達(dá)到了202 W h kg−1。通過以目前的研究為例，我們對(duì)未來高性能電極材料的設(shè)計(jì)提供了一個(gè)合理的方向。

 

　　參考文獻(xiàn)

 

　　(1) Chen, J. S.; Guan, C.; Gui, Y.; Blackwood, D. J. Rational Design of Self-Supported Ni3S2 Nanosheets Array for Advanced Asymmetric Supercapacitor with a Superior Energy Density. ACS Appl. Mater. Interfaces. 2017, 9, 496−504

 

　　(2) Simon, P.; Gogotsi, Y.; Dunn, B. Where Do Batteries End and Supercapacitors Begin? Science 2014, 343, 1210−1211.

 

　　(3) Simon, P.; Gogotsi, Y. Materials for Electrochemical Capacitors. Nat. Mater. 2008, 7, 845−854.

 

　　(4) Arico, A. S.; Bruce, P.; Scrosati, B.; Tarascon, J.-M.; van Schalkwijk, W. Nanostructured Materials for Advanced Energy Conversion and Storage Devices. Nat. Mater. 2005, 4, 366−377.